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TPH1110ENH,L1Q

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	TPH1110ENH,L1Q
説明:	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	U-MOSVIII-H
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Discontinued at Digi-Key
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	114mOhm @ 3.6A, 10V
電力放蕩(マックス)	1.6W (Ta), 42W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	8-SOP Advance (5x5)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c	7.2A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V