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TPH1R712MD,L1Q

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TPH1R712MD,L1Q
説明: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ U-MOSVI
fet234タイプ P-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 78W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 8-SOP Advance (5x5)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 182nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 10900pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 60A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 2.5V, 4.5V

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