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TPH2010FNH,L1Q

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TPH2010FNH,L1Q
説明: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ U-MOSVIII-H
fet234タイプ N-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Discontinued at Digi-Key
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 198mOhm @ 2.8A, 10V
電力放蕩(マックス) 1.6W (Ta), 42W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 8-SOP Advance (5x5)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 250V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c 5.6A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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