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TPN1600ANH,L1Q

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TPN1600ANH,L1Q
説明: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ U-MOSVIII-H
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 16mOhm @ 8.5A, 10V
電力放蕩(マックス) 700mW (Ta), 42W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 8-TSON Advance (3.3x3.3)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 17A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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