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TPN22006NH,LQ

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	TPN22006NH,LQ
説明:	MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	U-MOSVIII-H
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
作動温度	150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	22mOhm @ 4.5A, 10V
電力放蕩(マックス)	700mW (Ta), 18W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	8-TSON Advance (3.3x3.3)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	710pF @ 30V
現在25%で安全連続(id) @°c	9A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	6.5V, 10V