画像は参考までに、仕様書を参照してください

TPN2R805PL,L1Q

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	TPN2R805PL,L1Q
説明:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	U-MOSIX-H
fet234タイプ	N-Channel
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 300µA
作動温度	175°C
Rdsデータ(Max) @ Vgs	2.8mOhm @ 40A, 10V
電力放蕩(マックス)	2.67W (Ta), 104W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	8-TSON Advance (3.3x3.3)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	45V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	3.2nF @ 22.5V
現在25%で安全連続(id) @°c	139A (Ta), 80A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V