TPN2R805PL,L1Q
メーカー: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | TPN2R805PL,L1Q |
説明: | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | U-MOSIX-H |
fet234タイプ | N-Channel |
vgs max | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Active |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 8-PowerVDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 300µA |
作動温度 | 175°C |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 2.8mOhm @ 40A, 10V |
電力放蕩(マックス) | 2.67W (Ta), 104W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 45V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 3.2nF @ 22.5V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 139A (Ta), 80A (Tc) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 4.5V, 10V |
在庫が 96 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.30 | $0.29 | $0.29 |
最小: 1