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TPN8R903NL,LQ

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TPN8R903NL,LQ
説明: MOSFET N-CH 30V 20A TSON
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ U-MOSVIII-H
fet234タイプ N-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 100µA
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 8.9mOhm @ 10A, 10V
電力放蕩(マックス) 700mW (Ta), 22W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 8-TSON Advance (3.3x3.3)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 9.8nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 20A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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