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TPW1R306PL,L1Q

メーカー:	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	TPW1R306PL,L1Q
説明:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	U-MOSIX-H
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
作動温度	175°C
Rdsデータ(Max) @ Vgs	1.29mOhm @ 50A, 10V
電力放蕩(マックス)	960mW (Ta), 170W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	8-DSOP Advance
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	91nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	8100pF @ 30V
現在25%で安全連続(id) @°c	260A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V