画像は参考までに、仕様書を参照してください
ULN2803APG,CN
| メーカー: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| データシート: | ULN2803APG,CN |
| 説明: | TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 1.47W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | 18-DIP (0.300", 7.62mm) |
| トランジスタタイプ | 8 NPN Darlington |
| ベース部材番号 | ULN280*A |
| 作動温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 周波数-遷移 | - |
| サプライヤー装置パッケージ | 18-DIP |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 500mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | - |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V |
在庫が 76 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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