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ULN2803APG,CN

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
データシート: ULN2803APG,CN
説明: TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
シリーズ -
包装 Tube
部地位 Obsolete
-マックス 1.47W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 18-DIP (0.300", 7.62mm)
トランジスタタイプ 8 NPN Darlington
ベース部材番号 ULN280*A
作動温度 -40°C ~ 85°C (TA)
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ 18-DIP
vイス(Max) @ Ib、Ic 1.6V @ 500µA, 350mA
現在-コレクター・Ic (Max) 500mA
トラッキング・キュートフ(マックス) -
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 1000 @ 350mA, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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