ULN2803APG,CN
メーカー: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
データシート: | ULN2803APG,CN |
説明: | TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
シリーズ | - |
包装 | Tube |
部地位 | Obsolete |
-マックス | 1.47W |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | 18-DIP (0.300", 7.62mm) |
トランジスタタイプ | 8 NPN Darlington |
ベース部材番号 | ULN280*A |
作動温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
周波数-遷移 | - |
サプライヤー装置パッケージ | 18-DIP |
vイス(Max) @ Ib、Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
現在-コレクター・Ic (Max) | 500mA |
トラッキング・キュートフ(マックス) | - |
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V |
在庫が 76 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1