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TP65H050WS

メーカー: Transphorm
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TP65H050WS
説明: GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Transphorm
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.8V @ 700µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 60mOhm @ 22A, 10V
電力放蕩(マックス) 119W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-247-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 400V
現在25%で安全連続(id) @°c 34A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 12V

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