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TP65H070LSG

メーカー: Transphorm
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TP65H070LSG
説明: 650 V 25 A GAN FET
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Transphorm
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TP65H070L
fet234タイプ N-Channel
vgs max ±20V
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 3-PowerDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4.8V @ 700µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 85mOhm @ 16A, 10V
電力放蕩(マックス) 96W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 3-PQFN (8x8)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 400V
現在25%で安全連続(id) @°c 25A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 290 pcs

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