画像は参考までに、仕様書を参照してください

TP65H070LSG

メーカー: Transphorm
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TP65H070LSG
説明: 650 V 25 A GAN FET
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Transphorm
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TP65H070L
fet234タイプ N-Channel
vgs max ±20V
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 3-PowerDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4.8V @ 700µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 85mOhm @ 16A, 10V
電力放蕩(マックス) 96W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 3-PQFN (8x8)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 400V
現在25%で安全連続(id) @°c 25A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 290 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$11.80 $11.56 $11.33
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

TSM60NB041PW C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
$11.71
E3M0065090D
Cree Wolfspeed
$11.5
SIHW70N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
$11.42
IXFH120N30X3
IXYS
$11.09
SIHG73N60AE-GE3
Vishay / Siliconix
$10.94