画像は参考までに、仕様書を参照してください
TPD3215M
| メーカー: | Transphorm |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| データシート: | TPD3215M |
| 説明: | GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Transphorm |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | - |
| fet234タイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 包装 | Bulk |
| fet特徴 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 470W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| 作動温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 34mOhm @ 30A, 8V |
| サプライヤー装置パッケージ | Module |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 8V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 600V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 100V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 70A (Tc) |
在庫が 67 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $178.83 | $175.25 | $171.75 |
最小: 1
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