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TPH3206PSB

メーカー:	Transphorm
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	TPH3206PSB
説明:	GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Transphorm
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±18V
技術	GaNFET (Gallium Nitride)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 500µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	180mOhm @ 10A, 8V
電力放蕩(マックス)	81W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-220AB
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	6.2nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	720pF @ 480V
現在25%で安全連続(id) @°c	16A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V