TPH3208LD
メーカー: | Transphorm |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | TPH3208LD |
説明: | GANFET N-CH 650V 20A PQFN |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Transphorm |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | - |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Tube |
vgs max | ±18V |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
fet特徴 | - |
部地位 | Obsolete |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 4-PowerDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 300µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 130mOhm @ 13A, 8V |
電力放蕩(マックス) | 96W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | 4-PQFN (8x8) |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 650V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 400V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 20A (Tc) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 10V |
在庫が 57 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1