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TPH3208LD

メーカー: Transphorm
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: TPH3208LD
説明: GANFET N-CH 650V 20A PQFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Transphorm
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±18V
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 4-PowerDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 300µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 130mOhm @ 13A, 8V
電力放蕩(マックス) 96W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 4-PQFN (8x8)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 8V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 400V
現在25%で安全連続(id) @°c 20A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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