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TPH3208PD

メーカー:	Transphorm
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	TPH3208PD
説明:	GANFET N-CH 650V 20A TO220
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Transphorm
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±18V
技術	GaNFET (Gallium Nitride)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 300µA
作動温度	-55°C ~ 150°C
Rdsデータ(Max) @ Vgs	130mOhm @ 13A, 8V
電力放蕩(マックス)	96W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-220AB
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 8V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	650V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 400V
現在25%で安全連続(id) @°c	20A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V