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10ETF12S

メーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目: Diodes - Rectifiers - Single
データシート: 10ETF12S
説明: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目 Diodes - Rectifiers - Single
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
包装 Tube
ダイオードタイプ Standard
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ベース部材番号 10ETF12
容量@ Vr, F -
サプライヤー装置パッケージ TO-263AB (D²PAK)
反転回復時間(trr) 310ns
逆流漏れ@ Vr 100µA @ 1200V
電圧—DCリバースパス(Vr) (Max 1200V
電流-平均整流器(Io) 10A
操作温度-接合部 -40°C ~ 150°C
-前进(Vf) (Max) @ If 1.33V @ 10A

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