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EGF1AHE3_A/I

メーカー:	Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目:	Diodes - Rectifiers - Single
データシート:	EGF1AHE3_A/I
説明:	DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目	Diodes - Rectifiers - Single
速度	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
ダイオードタイプ	Standard
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	DO-214BA
容量@ Vr, F	15pF @ 4V, 1MHz
サプライヤー装置パッケージ	DO-214BA (GF1)
反転回復時間(trr)	50ns
逆流漏れ@ Vr	5µA @ 50V
電圧—DCリバースパス(Vr) (Max	50V
電流-平均整流器(Io)	1A
操作温度-接合部	-65°C ~ 175°C
-前进(Vf) (Max) @ If	1V @ 1A