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FESB16DT-E3/81

メーカー:	Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目:	Diodes - Rectifiers - Single
データシート:	FESB16DT-E3/81
説明:	DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目	Diodes - Rectifiers - Single
速度	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ	-
包装	Tape & Reel (TR)
ダイオードタイプ	Standard
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ベース部材番号	FESB16D
容量@ Vr, F	175pF @ 4V, 1MHz
サプライヤー装置パッケージ	TO-263AB
反転回復時間(trr)	35ns
逆流漏れ@ Vr	10µA @ 200V
電圧—DCリバースパス(Vr) (Max	200V
電流-平均整流器(Io)	16A
操作温度-接合部	-65°C ~ 150°C
-前进(Vf) (Max) @ If	975mV @ 16A