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NSB8DT-E3/45

メーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目: Diodes - Rectifiers - Single
データシート: NSB8DT-E3/45
説明: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目 Diodes - Rectifiers - Single
速度 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
包装 Tube
ダイオードタイプ Standard
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ベース部材番号 NSB8D
容量@ Vr, F 55pF @ 4V, 1MHz
サプライヤー装置パッケージ TO-263AB
逆流漏れ@ Vr 10µA @ 200V
電圧—DCリバースパス(Vr) (Max 200V
電流-平均整流器(Io) 8A
操作温度-接合部 -55°C ~ 150°C
-前进(Vf) (Max) @ If 1.1V @ 8A

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