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US1G-E3/5AT

メーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目: Diodes - Rectifiers - Single
データシート: US1G-E3/5AT
説明: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目 Diodes - Rectifiers - Single
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
包装 Cut Tape (CT)
ダイオードタイプ Standard
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 DO-214AC, SMA
ベース部材番号 US1G
容量@ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz
サプライヤー装置パッケージ DO-214AC (SMA)
反転回復時間(trr) 50ns
逆流漏れ@ Vr 10µA @ 400V
電圧—DCリバースパス(Vr) (Max 400V
電流-平均整流器(Io) 1A
操作温度-接合部 -55°C ~ 150°C
-前进(Vf) (Max) @ If 1V @ 1A

在庫が 32939 pcs

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