画像は参考までに、仕様書を参照してください
VS-10ETF12S-M3
| メーカー: | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
|---|---|
| 対象品目: | Diodes - Rectifiers - Single |
| データシート: | VS-10ETF12S-M3 |
| 説明: | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| 対象品目 | Diodes - Rectifiers - Single |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 部地位 | Active |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 容量@ Vr, F | - |
| サプライヤー装置パッケージ | D2PAK |
| 反転回復時間(trr) | 310ns |
| 逆流漏れ@ Vr | 100µA @ 1200V |
| 電圧—DCリバースパス(Vr) (Max | 1200V |
| 電流-平均整流器(Io) | 10A |
| 操作温度-接合部 | -40°C ~ 150°C |
| -前进(Vf) (Max) @ If | 1.33V @ 10A |
在庫が 72 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.85 | $0.83 | $0.82 |
最小: 1
要求引用
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