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VS-20ETF12-M3

メーカー:	Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目:	Diodes - Rectifiers - Single
データシート:	VS-20ETF12-M3
説明:	DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目	Diodes - Rectifiers - Single
速度	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ	-
包装	Tube
ダイオードタイプ	Standard
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-220-2
ベース部材番号	20ETF12
容量@ Vr, F	-
サプライヤー装置パッケージ	TO-220AC
反転回復時間(trr)	400ns
逆流漏れ@ Vr	100µA @ 1200V
電圧—DCリバースパス(Vr) (Max	1200V
電流-平均整流器(Io)	20A
操作温度-接合部	-40°C ~ 150°C
-前进(Vf) (Max) @ If	1.31V @ 20A