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VS-8EWS12STRR-M3

メーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目: Diodes - Rectifiers - Single
データシート: VS-8EWS12STRR-M3
説明: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目 Diodes - Rectifiers - Single
速度 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
ダイオードタイプ Standard
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
容量@ Vr, F -
サプライヤー装置パッケージ D-PAK (TO-252AA)
逆流漏れ@ Vr 50µA @ 1200V
電圧—DCリバースパス(Vr) (Max 1200V
電流-平均整流器(Io) 8A
操作温度-接合部 -55°C ~ 150°C
-前进(Vf) (Max) @ If 1.1V @ 8A

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