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VS-GB100LH120N

メーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: VS-GB100LH120N
説明: IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ -
部地位 Last Time Buy
-マックス 833W
構成 Single
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor No
パケット/場合 Double INT-A-PAK (3 + 4)
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ Double INT-A-PAK
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 1.77V @ 15V, 100A (Typ)
現在-コレクター・Ic (Max) 200A
入力容量(Cies) @ Vce 8.96nF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス) 1mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

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