画像は参考までに、仕様書を参照してください
VS-GB100TH120N
| メーカー: | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - IGBTs - Modules |
| データシート: | VS-GB100TH120N |
| 説明: | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
| 対象品目 | Transistors - IGBTs - Modules |
| 入力 | Standard |
| シリーズ | - |
| igbtタイプ | - |
| 部地位 | Last Time Buy |
| -マックス | 833W |
| 構成 | Half Bridge |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| ntc thermistor | No |
| パケット/場合 | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| サプライヤー装置パッケージ | Double INT-A-PAK |
| v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 100A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 200A |
| 入力容量(Cies) @ Vce | 8.58nF @ 25V |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 5mA |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 1200V |
在庫が 89 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $329.28 | $322.69 | $316.24 |
最小: 1
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