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VS-GB200TS60NPBF

メーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: VS-GB200TS60NPBF
説明: IGBT 600V 209A 781W INT-A-PAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ NPT
部地位 Last Time Buy
-マックス 781W
構成 Half Bridge
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor No
パケット/場合 INT-A-PAK (3 + 4)
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ INT-A-PAK
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.84V @ 15V, 200A
現在-コレクター・Ic (Max) 209A
トラッキング・キュートフ(マックス) 200µA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

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いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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