画像は参考までに、仕様書を参照してください

VS-GB50YF120N

メーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: VS-GB50YF120N
説明: IGBT 1200V 66A 330W ECONO
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ -
部地位 Active
-マックス 330W
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor No
パケット/場合 Module
作動温度 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ ECONO2 4PACK
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 4.5V @ 15V, 75A
現在-コレクター・Ic (Max) 66A
トラッキング・キュートフ(マックス) 250µA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 76 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$130.92 $128.30 $125.74
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

FF300R12ME3BOSA1
Infineon Technologies
$129.98
FF225R17ME3BOSA1
Infineon Technologies
$140.32
FP150R07N3E4B11BOSA1
Infineon Technologies
$140.21
FP75R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
$140.12
IFF300B12ME4PB11BPSA1
Infineon Technologies
$145.69