Image is for reference only , details as Specifications

VS-GP300TD60S

メーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: VS-GP300TD60S
説明: IGBT
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ PT, Trench
部地位 Active
-マックス 1136W
構成 Half Bridge
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor No
パケット/場合 Dual INT-A-PAK (3 + 8)
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ Dual INT-A-PAK
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 1.45V @ 15V, 300A
現在-コレクター・Ic (Max) 580A
トラッキング・キュートフ(マックス) 150µA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

在庫が 59 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

VS-GT105NA120UX
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$0
FS75R12KE3_B3
Infineon Technologies
$0
FS100R12KE3_B3
Infineon Technologies
$0
F1235R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies
$0
FZ1200R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
$0