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2N6661JTVP02

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: 2N6661JTVP02
説明: MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 4Ohm @ 1A, 10V
電力放蕩(マックス) 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-39
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 90V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 860mA (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 5V, 10V

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