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IRF510L

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IRF510L
説明:	MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	540mOhm @ 3.4A, 10V
電力放蕩(マックス)	-
サプライヤー装置パッケージ	TO-262-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	8.3nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	180pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	5.6A (Tc)