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IRF510L

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRF510L
説明: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 540mOhm @ 3.4A, 10V
電力放蕩(マックス) -
サプライヤー装置パッケージ TO-262-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 5.6A (Tc)

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