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IRFD110
| メーカー: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | IRFD110 |
| 説明: | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | - |
| fet234タイプ | N-Channel |
| 包装 | Tube |
| vgs max | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| fet特徴 | - |
| 部地位 | Obsolete |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 540mOhm @ 600mA, 10V |
| 電力放蕩(マックス) | 1.3W (Ta) |
| サプライヤー装置パッケージ | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 100V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 25V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 1A (Ta) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 10V |
