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IRFD120

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRFD120
説明: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 270mOhm @ 780mA, 10V
電力放蕩(マックス) 1.3W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 360pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 1.3A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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