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IRFD224

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IRFD224
説明:	MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	1.1Ohm @ 380mA, 10V
電力放蕩(マックス)	1W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	250V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	260pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	630mA (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V