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IRFD9010

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRFD9010
説明: MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ P-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 500mOhm @ 580mA, 10V
電力放蕩(マックス) 1W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 50V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 240pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 1.1A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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