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SI1011X-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SI1011X-T1-GE3
説明: MOSFET P-CH 12V SC-89
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ P-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±5V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-89, SOT-490
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 640mOhm @ 400mA, 4.5V
電力放蕩(マックス) 190mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ SC-89-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 62pF @ 6V
現在25%で安全連続(id) @°c -
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 1.2V, 4.5V

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