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SI1025X-T1-E3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SI1025X-T1-E3
説明: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ 2 P-Channel (Dual)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Obsolete
-マックス 250mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-563, SOT-666
ベース部材番号 SI1025
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 4Ohm @ 500mA, 10V
サプライヤー装置パッケージ SC-89-6
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 1.7nC @ 15V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 23pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 190mA

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