SI1025X-T1-E3
メーカー: | Vishay / Siliconix |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
データシート: | SI1025X-T1-E3 |
説明: | MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Vishay / Siliconix |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
シリーズ | TrenchFET® |
fet234タイプ | 2 P-Channel (Dual) |
包装 | Digi-Reel® |
fet特徴 | Logic Level Gate |
部地位 | Obsolete |
-マックス | 250mW |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | SOT-563, SOT-666 |
ベース部材番号 | SI1025 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 4Ohm @ 500mA, 10V |
サプライヤー装置パッケージ | SC-89-6 |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 15V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 60V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 23pF @ 25V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 190mA |
在庫が 62 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1