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SI1025X-T1-E3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SI1025X-T1-E3
説明:	MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	2 P-Channel (Dual)
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Logic Level Gate
部地位	Obsolete
-マックス	250mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SOT-563, SOT-666
ベース部材番号	SI1025
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	4Ohm @ 500mA, 10V
サプライヤー装置パッケージ	SC-89-6
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	1.7nC @ 15V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	23pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	190mA