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SI1035X-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SI1035X-T1-GE3
説明: MOSFET N/P-CH 20V SC-89
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ N and P-Channel
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 250mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-563, SOT-666
ベース部材番号 SI1035
Vgs(th) (Max) @ Id 400mV @ 250µA (Min)
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 5Ohm @ 200mA, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ SC-89-6
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds -
現在25%で安全連続(id) @°c 180mA, 145mA

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