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SI1056X-T1-E3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SI1056X-T1-E3
説明: MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-563, SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 89mOhm @ 1.32A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 236mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ SC-89-6
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 8.7nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c -
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 1.8V, 4.5V

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