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SI1302DL-T1-E3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SI1302DL-T1-E3
説明: MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-70, SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 480mOhm @ 600mA, 10V
電力放蕩(マックス) 280mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ SC-70-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
現在25%で安全連続(id) @°c 600mA (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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