SI1315DL-T1-GE3
メーカー: | Vishay / Siliconix |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | SI1315DL-T1-GE3 |
説明: | MOSFET P-CH 8V 0.9A SC70-3 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Vishay / Siliconix |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | TrenchFET® |
fet234タイプ | P-Channel |
包装 | Digi-Reel® |
vgs max | ±8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Obsolete |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | SC-70, SOT-323 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
作動温度 | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 336mOhm @ 800mA, 4.5V |
電力放蕩(マックス) | 400mW (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | SOT-323 |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 3.4nC @ 4.5V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 8V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 112pF @ 4V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 900mA (Tc) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 1.8V, 4.5V |
在庫が 83 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1