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SI1926DL-T1-E3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SI1926DL-T1-E3
説明:	MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Logic Level Gate
部地位	Active
-マックス	510mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ベース部材番号	SI1926
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	1.4Ohm @ 340mA, 10V
サプライヤー装置パッケージ	SC-70-6 (SOT-363)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	1.4nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	18.5pF @ 30V
現在25%で安全連続(id) @°c	370mA