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SI1965DH-T1-E3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SI1965DH-T1-E3
説明:	MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	2 P-Channel (Dual)
包装	Tape & Reel (TR)
fet特徴	Logic Level Gate
部地位	Active
-マックス	1.25W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ベース部材番号	SI1965
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	390mOhm @ 1A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ	SC-70-6 (SOT-363)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	4.2nC @ 8V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	120pF @ 6V
現在25%で安全連続(id) @°c	1.3A