SI1965DH-T1-GE3
メーカー: | Vishay / Siliconix |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
データシート: | SI1965DH-T1-GE3 |
説明: | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Vishay / Siliconix |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
シリーズ | TrenchFET® |
fet234タイプ | 2 P-Channel (Dual) |
包装 | Digi-Reel® |
fet特徴 | Logic Level Gate |
部地位 | Active |
-マックス | 1.25W |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
ベース部材番号 | SI1965 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 390mOhm @ 1A, 4.5V |
サプライヤー装置パッケージ | SC-70-6 (SOT-363) |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 8V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 12V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 6V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 1.3A |
在庫が 11765 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1