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SI2312BDS-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SI2312BDS-T1-GE3
説明:	MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±8V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id	850mV @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	31mOhm @ 5A, 4.5V
電力放蕩(マックス)	750mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	SOT-23-3 (TO-236)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	20V
現在25%で安全連続(id) @°c	3.9A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	1.8V, 4.5V