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SI2333CDS-T1-E3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SI2333CDS-T1-E3
説明: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ P-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ SOT-23-3 (TO-236)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1225pF @ 6V
現在25%で安全連続(id) @°c 7.1A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 1.8V, 4.5V

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