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SI2365EDS-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SI2365EDS-T1-GE3
説明:	MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	P-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±8V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	32mOhm @ 4A, 4.5V
電力放蕩(マックス)	1W (Ta), 1.7W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-236
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 8V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	20V
現在25%で安全連続(id) @°c	5.9A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	1.8V, 4.5V