SI2366DS-T1-GE3
メーカー: | Vishay / Siliconix |
---|---|
対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | SI2366DS-T1-GE3 |
説明: | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
---|---|
メーカー | Vishay / Siliconix |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | TrenchFET® |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Cut Tape (CT) |
vgs max | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Active |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 36mOhm @ 4.5A, 10V |
電力放蕩(マックス) | 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 30V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 335pF @ 15V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 5.8A (Tc) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 10V |
在庫が 883 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.45 | $0.44 | $0.43 |
最小: 1