Image is for reference only , details as Specifications

SI3465DV-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SI3465DV-T1-GE3
説明:	MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOP
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	P-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	80mOhm @ 4A, 10V
電力放蕩(マックス)	1.14W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	6-TSOP
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	5.5nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	20V
現在25%で安全連続(id) @°c	3A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V