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SI3475DV-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SI3475DV-T1-GE3
説明: MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ P-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 1.61Ohm @ 900mA, 10V
電力放蕩(マックス) 2W (Ta), 3.2W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 6-TSOP
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 950mA (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 6V, 10V

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