SI3585DV-T1-GE3
メーカー: | Vishay / Siliconix |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
データシート: | SI3585DV-T1-GE3 |
説明: | MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Vishay / Siliconix |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
シリーズ | TrenchFET® |
fet234タイプ | N and P-Channel |
包装 | Tape & Reel (TR) |
fet特徴 | Logic Level Gate |
部地位 | Obsolete |
-マックス | 830mW |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
ベース部材番号 | SI3585 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 125mOhm @ 2.4A, 4.5V |
サプライヤー装置パッケージ | 6-TSOP |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 20V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | - |
現在25%で安全連続(id) @°c | 2A, 1.5A |
在庫が 93 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1